G3VM-□MT MOS FET继电器模块

G3VM-□MT MOS FET继电器模块

漏电流*1pA以下,有助于设备的高可靠性 具备T开关功能,实现fA级的较小漏电流,有助于达到与以往的干簧继电器同等的测量性能 接点构成 :1a+T开关功能 采用小型封装,有助于节省印刷电路板上的封装空间 * VOFF =20V、50V、80V

漏电流*1pA以下,有助于设备的高可靠性
具备T开关功能,实现fA级的较小漏电流,有助于达到与以往的干簧继电器同等的测量性能
接点构成 :1a+T开关功能
采用小型封装,有助于节省印刷电路板上的封装空间
* VOFF =20V、50V、80V

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