MOS FET继电器即是光耦继电器，MOS FET英文全称Metal-Oxide Field-Effect Transistor，其中M: Metal---金属，O: Oxide---氧化物，S: Semiconductor---半导体，F: Field---场,E: Effect---效应,T: Transistor---晶体管，代表金属氧化物半导体场效应管。它的内部由3个芯片构成，LED芯片+PDA芯片（光电二极管阵列）+MOS FET芯片共同组成，工作原理是通过LED发光--PDA发电--MOS FET开关，这三个过程相结合实现继电器的功能。如下图这种就是MOS FET继电器：
下面我们来看下MOS FET继电器特点介绍:
1. 超小型、轻量：
除了SSOP、USOP之外，超小型封装VSON、S-VSON全新登场，为设备的小型化做出贡献。
2. 静音：
不会像机械继电器那样在开闭金属接点时会发出声音，为设备的静音化做出贡献。
3. 长寿命：
采用光信号传输方式，实现无接点构造。不会因接点磨损而缩短使用寿命，实现了长使用寿命。
4. 漏电流微弱：
对外部浪涌有很高的耐心，而且还没有缓冲电路，因此正常运行时电流小于1nA，关闭时的漏电流也极其微弱。
5. 耐冲击性出色：
内部部件完全为冲压制品，而且没有可动部等机构部件，具有出色的耐冲击性、耐震动性。
6. 高绝缘性：
将电压转换成光、以信号形式进行传送，确保输入输出间耐电压AC2500V。更高级的AC5000V也已实现系列化。
7. 低驱动电流：
在推荐运行条件（标准）下的驱动电流为2-15mA左右。还有最小可用0.2mA驱动的产品，为整体设备的节能化做出贡献。
8. 高速响应性：
运行时间仅0.2ms（SSOP\USOP、VSON），相比机械继电器的3ms-5m，速度明显提升。实现了高速响应性。
9. 可准确控制微小模拟信号：
还有与机械继电器同等的低导通电阻产品，与双向可控硅开关元件相比，不灵敏带极小。微弱模拟信号的输入波形可基本无任何失真地转换为输出波形。
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